在2026年第二十六届中国国际工业博览会的创新科技馆内，百余项上海科创成果集中亮相，其中最受瞩目的莫过于一台被称作高端光刻机“心脏”的极紫外（EUV）光源系统样机。这台由朗道燧岩带来的设备，是目前公开展示国产化进度最靠前的EUV光源样机。虽然它并不是传统意义上的消费级AI产品，却与AI产品乃至整个智能计算生态的底层硬件密不可分——没有先进制程芯片，就没有如今蓬勃发展的AI大模型。更值得关注的是，现场工作人员透露，这台样机的光源系统国产化率已达90%，绝大多数核心零部件均为自主研发，技术路线与国际领先厂商保持一致。
国产EUV光源亮相，半导体装备迎来“心脏级”突破
长期以来，极紫外光源是7nm及以下先进制程芯片制造的三大核心零部件之一。它之所以被称为光刻机的“心脏”，是因为其产生的13.5nm波长光线，能够实现极高分辨率的光刻图案转移。目前全球只有少数供应商能制造稳定可靠的商用EUV光源，而中国在这一领域长期受制于海外技术垄断与禁运限制，成为制约高端芯片自主可控的关键环节。
在本次工博会上，朗道燧岩首次公开展出高功率极紫外光源腔体FlintMicro-LPP Alpha01、激光诱导等离子体极紫外光源，以及低功率EUV光源系统FlintNano LPP-OXXO系统等产品。从现场展出的样机来看，其整体设计与国际主流LPP（激光等离子体）技术路线一致，也就是用高功率激光轰击锡滴，产生等离子体，进而辐射出极紫外光。这一技术路线的可行性此次得到了初步验证，意味着中国在高端光刻光源领域终于从“图纸阶段”迈入了“样机阶段”。
事实上，EUV光源的研发难度不亚于一台精密航天器。它需要在极短脉冲内将激光能量聚焦到微米级锡滴上，同时还要控制等离子体的稳定性、尺寸、发散角以及能量输出。任何一个环节的微小偏差，都可能导致光刻机无法在晶圆上蚀刻出合格的电路。因此，这次样机的公开亮相，不仅是对朗道燧岩团队技术积累的检验，也让外界看到了国产高端装备突破“卡脖子”问题的希望。
90%国产化率背后：核心技术从实验室走向工业验证
据现场工作人员介绍，这台EUV光源样机的国产化率达到90%，绝大多数核心零部件为自主研发。这一数据含金量极高，因为EUV光源系统涉及的零部件种类繁多，包括高功率激光器、光学元件、锡液滴发生器、真空腔体、精密控制系统等。在以往，这些部件几乎没有国内供应商能够提供，如今朗道燧岩通过整合清华大学气体放电等离子体实验室的研发成果，逐一攻克了关键环节。
值得一提的是，朗道燧岩的低功率EUV光源系统FlintNano-LPP系列已处于产品化阶段，而高功率系列FlintMicro-LPP仍处于原理论证阶段。根据官方公布的技术参数，FlintNano LPP-OXXO的驱动激光功率为1000W，激光频率1至20kHz，转换效率大于2%，亮度为100W/mm²sr，EUV能量大于15W，持续工作时间超过100小时。这些数据虽然与商用EUV光刻机的数百瓦光源功率还有明显差距，但作为一款从实验室走出的样机，已经足以证明技术路线的可行性。
这种从0到1的突破，离不开团队对基础物理的深入理解。创始人王豪博士带领的团队，以清华大学气体放电等离子体实验室的研发成果为基础，聚焦LPP-EUV光刻光源技术。他们将等离子体仿真软件与实际实验相结合，不断优化激光参数与锡液滴的匹配度。正是这种科学严谨的工程化方法，让国产EUV光源在短短数年内跨越了从概念到样机的鸿沟。
从技术参数看差距：15瓦与数百瓦之间的鸿沟
尽管国产EUV光源样机令人振奋，但客观看来，距离量产和工业级应用仍有不小的距离。现场工作人员坦言，该光源系统距离量产仍需3至5年时间。当前面临的核心挑战在于提升输出功率和长期运行稳定性。商用EUV光刻系统要求光源功率达到数百瓦级别，并能在长时间运行中保持高度可靠。而本次展出的样机EUV能量大于15W，仅为商业目标的几十分之一，持续工作时间100小时也远远不够。
更深层的差距体现在系统集成能力上。一台完整的光刻机需要将光源、投影光学系统、工件台、真空环境、控制软件等子系统完美协同，任何一环的失配都会导致整机性能暴跌。朗道燧岩目前完成的只是光源系统的原理验证和初步工程化，距离真正的商业化光刻机光源还有很长的路要走。
不过，这并不意味着国产EUV光源没有价值。低功率EUV光源本身也有应用场景，比如科研实验、材料表征、极紫外光刻工艺研发等。通过低功率产品的商业化，团队可以积累工程经验、完善供应链、训练人才，为高功率系统的最终突破铺路。这种“以战养战”的策略，在半导体装备领域屡见不鲜。
朗道燧岩的突围路径：融资、团队与三大业务板块
朗道科技成立于2024年，虽然公司的历史并不长，但其资本节奏却相当紧凑。2025年10月，公司获得张江高科旗下燧玥创投的天使轮融资，累计融资额超千万元，并入驻上海集成电路设计产业园。2026年1月完成天使+轮融资，2026年7月完成A轮融资，投资方包括沃衍资本、中芯聚源等。短短两年间，这家年轻的公司迅速获得了产业资本的认可，也说明了市场对国产EUV光源的期待之高。
目前，朗道燧岩旗下拥有三大核心业务板块：燧岩聚焦EUV光源系统，辉光主打大功率二氧化碳轴快流激光器，天算则提供等离子体仿真软件。这三个板块并非互不相关，而是形成了紧密的技术协同——EUV光源需要大功率激光驱动，而等离子体仿真软件可以大幅降低实验试错成本。这种“硬件+软件”的双轮驱动模式，在半导体设备公司中并不常见，却可能是最务实的路径。
从团队背景来看，王豪博士的清华大学气体放电等离子体实验室本身就是国内等离子体物理研究的重镇。团队将科研成果转化为工程装备的能力，是投资者看重的核心资产。此外，上海集成电路设计产业园的产业生态，也为朗道燧岩提供了与上下游企业深度合作的机会。
量产前的三场硬仗：功率、稳定性与产业链协同
要想让EUV光源从样机走向量产，朗道燧岩至少还要打三场硬仗。首先是功率提升，这需要更高能量的驱动激光以及更高效的能量转换机制。目前1000W的驱动激光功率只能产生15W的EUV能量，转换效率仅2%左右，而商业系统需要将这一效率提升数倍。
第二场硬仗是长期稳定性。商用光刻机通常需要24小时不间断运行，且光源参数必须保持极高的一致性。锡滴的喷射频率、等离子体的位置重复性、腔体的热管理等等，都需要在数万小时内持续可靠。这些工程问题看似琐碎，却往往是“杀手级”难题。
第三场硬仗则是产业链协同。EUV光源的核心零部件虽然已实现90%国产化，但剩余的10%仍然可能成为供应链上的“阿喀琉斯之踵”。比如特殊光学镜片、精密传感器等，在极端环境下还依赖进口。要在未来数年内补齐这些短板，需要整个中国半导体产业链的共同努力。
值得注意的是，EUV光源的突破并非孤立事件。随着AI Agent技术的快速发展，芯片设计复杂度也在急剧上升，对先进制程的需求更加迫切。而先进制程又离不开高端光刻设备。可以说，EUV光源是支撑“AI算力”这台庞大机器运转的最后几块齿轮之一。
EUV光源国产化将如何重塑全球芯片格局？
如果朗道燧岩能够在3至5年后实现量产，那将意味着中国将初步具备自主制造7nm以下芯片的核心光源能力。这不仅是半导体制造业的里程碑，更会深刻影响全球芯片产业格局。当前，全球EUV光刻机市场被荷兰ASML几乎垄断，任何地缘政治波动都可能引发芯片供应链危机。如果中国掌握自己的EUV光源技术，不仅高端芯片产能的安全感会大幅提升，还能进一步促进行业良性竞争，降低先进制程的制造成本。
当然，我们也不必过于乐观。光源是核心，但光刻机还包括光学系统、双工件台、控制软件等众多复杂子系统。即使光源成功突破，整机整合仍是巨大挑战。但无论如何，朗道燧岩的样机已经证明了一条中国工程师可以走通的技术路径。从实验室到工博会，从原理论证到产品化阶段，这是一条漫长却坚实的路。
回顾人类科技史，每一次算力跃迁都伴随着光刻设备的革命。最初的接触式光刻机、后来的步进式光刻机，再到今天的EUV光刻机，每前进一步都凝结着无数工程师的智慧。而中国的半导体产业，正在这一波数字化转型浪潮中奋力追赶。也许用不了太长时间，我们就能看到用国产EUV光源点亮的光刻机，在晶圆上刻画出比头发丝细一万倍的电路。到那时，AI画图生成的每一张未来之城图片，都将拥有真正的国产芯片算力支撑。
对于普通读者而言，这台工博会上的样机可能不像智能手机那样触手可及，但它所代表的技术突破，却与我们每个人的数字生活息息相关。无论是AI诗词创作，还是复杂的语音助手，都离不开先进制程芯片。可以说，EUV光源是中国AI产品生态的一块基石。
从更宏观的视角看，国家对集成电路产业的扶持力度还在加大。大模型训练所需的算力底座，本质上是芯片制造能力的体现。而芯片制造能力的跃升，又需要从材料、工艺到设备全链条的创新。朗道燧岩的EUV光源样机，只是这条创新链上的一个亮点，但它让我们看到了企业数字化转型与硬科技突围并行的可能性。
最后，建议对硬科技感兴趣的读者，不妨持续关注AI工具导航，从中找到更多类似的高价值科技信息。未来几年，国产EUV光源的量产进程、ASML的技术迭代、以及全球芯片市场的供需变化，都将是值得追踪的焦点。而这台样机在工博会上的首秀，注定会成为中国半导体史上一个值得被记住的节点。